回来后材料人编辑就来约稿，山西市场于是成文。

电力（b）InSbNS的AFM图像和相应的高度轮廓。作为一种直接带隙III-V化合物半导体，交易InSb具有最小的带隙和最高的电子迁移率，成为中波长红外（MWIR）范围内潜在的检测器材料。

中心（c）钝化的InSbNSIR光电探测器的响应度和检测率。总之，每日该研究证明了InSbNSs具有优异的光电特性，在下一代电子和光电子学中具有广阔的应用前景。信息（d）光电流的上升和衰减时间分别测量为2.27ms和2.03ms。

图三、山西市场InSbNSIR光电探测器的光电测量和能带图（a）在黑暗中和不同入射光功率下，Vds-Ids曲线。电力（e）源漏电压Vds=0.1V的InSbNS器件的传输特性与温度的关系。

交易（e）当设备处于p-区域和n-区域时的能带图。

总之，中心这些具有优异光电性能的InSbNSs对开发下一代纳米级光电器件有极大的帮助。董事长王杰明接受广东电视台财经频道专访，每日向国人展示华珀的企业实力和产品的环保性。

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